10.15新凯来即将亮相“湾芯展” ，国产光刻重磅突围时刻，官方的原话：请大家拭目以待“会有意想不到的惊喜”！

深圳市官方发布：下周新凯来有意想不到的惊喜！

“新凯来将在10月15-17日举办的2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）上带来"意想不到的惊喜"。这一表态不仅引发市场高度关注，更被解读为中国半导体设备领域突破的关键信号。”

作为深圳市国资委全资控股的半导体设备“国家队”，新凯来成立于2021年8月，核心使命是突破光刻机等“卡脖子”技术。这家企业脱胎于华为2012实验室的"星光工程部"，2022年在华为被断供后，数千名技术骨干整体转入新凯来，形成了独特的"国家队+市场化"混改架构，而"国资+技术+产业链"的协同模式，更是成为新凯来快速崛起的关键支撑。截至2025年，公司员工已近2万人，研发人员占比超50%，核心团队具备20年以上电子设备技术开发经验。

新凯来的产品布局覆盖半导体制造全流程。在2025年3月的上海SEMICON China展会上，新凯来一次性推出了6大类共31款半导体工艺和检测装备，包括刻蚀产品、扩散产品、薄膜产品及物理量测产品、X射线量测产品、光学量检测产品等。更引人注目的是，这些设备全部以中国名山命名，如"峨眉山"外延沉积设备、"阿里山"原子层沉积设备、"武夷山"刻蚀设备等，形成了独特的中国品牌辨识度。

在设备性能方面，新凯来的技术参数已接近国际领先水平：

• 武夷山刻蚀机：支持5nm以下先进制程，等离子体控制精度提升10倍。已批量进入中芯国际28nm产线，高深宽比刻蚀良率达85%，显著优于行业平均水平。

• 阿里山ALD设备：薄膜均匀性达99.5%，对标东京电子同类产品。

• 长白山CVD设备：在长江存储的128层3D NAND堆叠中，沉积效率提升30%

• 天门山光学检测设备：缺陷检测灵敏度达10nm级，打破科磊（KLA）垄断。

• 28nm浸润式光刻系统：套刻精度<2nm，分辨率接近ASML，且已通过实验室验证。虽然尚未大规模量产，但这一进展被视为中国光刻机领域的重大突破。

• 联合中科院开发全球首个193nm全固态激光光源，体积缩小50%、能耗降低30%，适配5nm制程需求。该光源已通过华为海思芯片验证，为国产化光源奠定基础。

• 与长春光机所合资成立长光集智，研发物镜组和反射镜系统，光学元件加工精度达纳米级，同时，量检测设备实现100%国产化。

• SAQP工艺通过“曝光-刻蚀-沉积”循环，在未使用EUV的情况下实现5nm等效制程。该工艺已纳入中芯国际产线。

全球高端半导体设备市场长期被少数几家欧美日企业垄断，尤以荷兰ASML最为典型。作为全球唯一能生产EUV极紫外光刻机的企业，ASML掌握着最先进的芯片制造命脉，其每台EUV设备售价高达3.5亿欧元。

新凯来的崛起正在打破这一垄断格局，新凯来的非对称技术路径具有以下优势：

• 成本优势：SAQP技术路线的设备成本仅为ASML EUV光刻机的1/30，同时将生产良率从行业平均的35%大幅提升至85%，为晶圆厂提供了经济可行的替代方案。

• 交付周期优势：新凯来设备交付周期为6-8个月，远短于国际巨头的12-18个月，在扩产潮中占据显著优势。

• 技术协同优势：新凯来同时涉足光刻、刻蚀、沉积、量测等多个环节，能够提供全流程解决方案，避免单一环节被卡脖子的风险。

• 设备渗透率提升：新凯来的ALD设备已通过中芯国际验证，国产化率不足5%的领域有望被打破；其PVD设备与华虹集团合作，验证周期从传统的12个月缩短至6个月。

正如ASML前CEO彼得·维尼克所言："中国半导体产业的崛起不是靠图纸封锁能阻挡的，他们正在重构整个技术树。"

新凯来的技术突破，标志着中国从"替代者"向"定义者"转变，其"设备-材料-工艺"协同开发模式正在改写行业规则。

2025年10月